零维钙钛矿材料以自陷激子引起的宽带发射为特征,是一种很有前途的刺激响应和光加密材料.然而,现有的研究主要集中在结构相变对光物理性质的影响上,对自陷激子的发射机制缺乏深入了解.本文证明了零维卤化锑单晶中的脱水反应,在不诱导结构相变的基础上显著增强了自陷激子的发射,导致光致发光量子产率从3.5%大幅提高到91.4%.利用原位X射线衍射和光致发光技术揭示了晶体结构和光致发光强度之间的定性关系,证明了在脱水过程中引入了丰富的晶格畸变.温度依赖的荧光光谱和瞬态吸收光谱表明,晶格畸变导致中等的电子-声子耦合强度和更高的激子结合能,加速了自陷激子从非辐射复合单重态弛豫到辐射复合三重态,进而表现出增强的光致发光.作为概念验证,在防伪、可重写发光纸和湿度传感等多重场景中实现了应用.这一发现阐明了自陷激子的发射机制,并为设计可切换发光材料提供了一条新途径.