在氧化镓（Ga_2O_3）制备的功率器件中，P型掺杂存在较大困难，这导致缺乏有效的电流阻挡层，进而难以实现PN结体管，成为制约垂直MOSFET发展的主要障碍。针对这一问题，本文提出了一种Ga_2O_3-Mg垂直型MOSFET氧化镓功率器件。通过利用镁（Mg）作为掺杂源，形成电流阻塞层（CBL），从而获得正阈值电压，展现出良好的场效应晶体管（FET）特性，成功实现了增强型器件。本文借助Sentaurus TCAD仿真工具，对垂直型MOSFET氧化镓功率器件的结构进行了模拟，并深入研究了其电学特性。通过调整镁的掺杂浓度，对器件进行了优化设计。优化后的器件展现出2.399 V的正阈值电压，且击穿电压达到了522.4 V。研究结果表明，该设计为实现高性能增强型功率器件提供了一种切实可行的设计思路。