本文旨在研究磁控溅射工艺参数对加速器中子源靶用钽中间层制备过程及性能的影响，以优化其微观特性、晶相结构和化学组成，从而为高性能中子源靶的制备提供理论依据。采用脉冲直流磁控溅射技术，通过调控占空比（30%～90%）、溅射压力（0.5～2 Pa）和氩气流...